[实用新型]消除碳化硅单晶生长过程中硅对石墨体腐蚀的装置有效
| 申请号： | 201620103701.2 | 申请日： | 2016-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN205474111U | 公开（公告）日： | 2016-08-17 |
| 发明（设计）人： | 张云伟;韩金波;靳丽婕 | 申请（专利权）人： | 北京华进创威电子有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 11003 | 代理人： | 尹振启 |
| 地址： | 101111 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了消除碳化硅单晶生长过程中硅对石墨体腐蚀的装置，其特征在于，该装置包括：石墨坩埚，所述石墨坩埚上扣合有坩埚盖，所述坩埚盖的内侧固定有籽晶，石墨坩埚内装有原料，石墨坩埚的内侧壁和内底壁上贴附有隔离层，所述隔离层为厚度在0.1-1mm范围内的石墨纸或Ta（钽）片。该装置有效的降低了生长升华过程中气相组分对反应系统石墨内壁的腐蚀。 | ||
| 搜索关键词： | 消除 碳化硅 生长 过程 石墨 腐蚀 装置 | ||
【主权项】：
消除碳化硅单晶生长过程中硅对石墨体腐蚀的装置，其特征在于，该装置包括：石墨坩埚，所述石墨坩埚上扣合有坩埚盖，所述坩埚盖的内侧固定有籽晶，石墨坩埚内装有原料，石墨坩埚的内侧壁和内底壁上贴附有隔离层，所述隔离层为厚度在0.1‑1mm范围内的石墨纸或Ta片。
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