[发明专利]薄膜晶体管在审
| 申请号： | 201611252352.1 | 申请日： | 2016-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN107017210A | 公开（公告）日： | 2017-08-04 |
| 发明（设计）人： | 渡壁创;有吉知幸;花田明纮 | 申请（专利权）人： | 株式会社日本显示器 |
| 主分类号： | H01L23/29 | 分类号： | H01L23/29;H01L23/31;H01L29/51;H01L29/786 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人： | 徐殿军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 根据本实施方式，薄膜晶体管具备第1绝缘膜、设置在上述第1绝缘膜之上的氧化物半导体层、设置在上述氧化物半导体层之上的第2绝缘膜，上述第1绝缘膜和上述第2绝缘膜的至少一方具有与上述氧化物半导体层接触的第1区域、和比上述第1区域更远离上述氧化物半导体层的第2区域，上述第2区域具有比上述第1区域高的氩浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管具备：第1绝缘膜；氧化物半导体层，设置在上述第1绝缘膜之上；以及第2绝缘膜，设置在上述氧化物半导体层之上，上述第1绝缘膜和上述第2绝缘膜的至少一方具有与上述氧化物半导体层接触的第1区域、和比上述第1区域更远离上述氧化物半导体层的第2区域，上述第2区域具有比上述第1区域高的氩浓度。
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