[发明专利]薄膜晶体管

权利要求书

1.一种薄膜晶体管具备：

第1绝缘膜；

氧化物半导体层，设置在上述第1绝缘膜之上；以及

第2绝缘膜，设置在上述氧化物半导体层之上，

上述第1绝缘膜和上述第2绝缘膜的至少一方具有与上述氧化物半导体层接触的第1区域、和比上述第1区域更远离上述氧化物半导体层的第2区域，上述第2区域具有比上述第1区域高的氩浓度。

2.如权利要求1记载的薄膜晶体管，

在上述第1绝缘膜和上述第2绝缘膜的至少一方中，上述第1区域的膜厚比上述第2区域的膜厚薄。

3.如权利要求2记载的薄膜晶体管，

上述第1区域的膜厚大于等于上述第2区域的膜厚的1/6且小于等于上述第2区域的膜厚的1/3。

4.如权利要求1记载的薄膜晶体管，

上述第1区域中包含的氮的浓度大于上述第2区域中包含的氮的浓度。

5.如权利要求1记载的薄膜晶体管，

上述第1区域的膜密度小于上述第2区域的膜密度。

6.如权利要求1记载的薄膜晶体管，

在上述第1区域与上述第2区域的边界具有氟。

7.如权利要求1记载的薄膜晶体管，

上述氧化物半导体层由包含铟、镓、锌、锡中的至少一种的氧化物形成。

8.如权利要求1记载的薄膜晶体管，

上述第1区域和上述第2区域由氧化硅形成。

9.如权利要求1记载的薄膜晶体管，

上述第1绝缘膜以及上述第2绝缘膜由氧化硅形成，并与上述氧化物半导体层接触。

10.如权利要求1记载的薄膜晶体管，还具备：

基板；

栅电极，位于上述基板与上述第1绝缘膜之间；以及

一对电极，在上述氧化物半导体层与上述第2绝缘膜之间接触于上述氧化物半导体层，并且该一对电极在第1方向上隔开间隔。

11.一种薄膜晶体管，具备：

由氧化硅构成的第1绝缘膜；

由氧化硅构成的第2绝缘膜；以及

位于上述第1绝缘膜和上述第2绝缘膜之间的氧化物半导体层，

上述第1绝缘膜具有膜质不同的第1区域和第2区域，

上述第1区域与上述氧化物半导体层接触，

上述第2区域比上述第1区域更远离上述氧化物半导体层。

12.如权利要求11记载的薄膜晶体管，

上述第2绝缘膜具有膜质不同的第3区域和第4区域，

上述第3区域与上述氧化物半导体层接触，

上述第4区域比上述第3区域更远离上述氧化物半导体层。

13.如权利要求11记载的薄膜晶体管，

上述第2区域中包含的氩的浓度比上述第1区域中包含的氩的浓度高。

14.如权利要求11记载的薄膜晶体管，

上述第1区域中包含的氮的浓度比上述第2区域中包含的氮的浓度高。

15.如权利要求11记载的薄膜晶体管，

上述第1区域的膜密度比上述第2区域的膜密度小。

16.如权利要求12记载的薄膜晶体管，还具备：

基板；

栅电极，位于上述基板与上述第1绝缘膜之间；以及

一对电极，在上述氧化物半导体层与上述第2绝缘膜之间接触于上述氧化物半导体层，并且该一对电极在第1方向上隔开间隔。

17.如权利要求16记载的薄膜晶体管，

上述第1绝缘膜与上述基板以及上述栅电极接触，

上述第1区域的厚度在上述第1绝缘膜与上述基板接触的区域中和在上述第1绝缘膜与上述栅电极接触的区域中是相等的，

上述第2区域的厚度在上述第1绝缘膜与上述基板接触的区域中和在上述第1绝缘膜与上述栅电极接触的区域中是相等的。