[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
申请号: | 201611241079.2 | 申请日: | 2016-12-29 |
公开(公告)号: | CN107017174B | 公开(公告)日: | 2021-08-27 |
发明(设计)人: | 岛贯好彦 | 申请(专利权)人: | 瑞萨电子株式会社 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L21/60;H01L23/31;H01L23/495 |
代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 金晓 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本公开涉及半导体装置及其制造方法。半导体装置包括:管芯焊盘;形成有接合焊盘的半导体芯片;引线,引线的一个端部位于半导体芯片附近;连接电极和引线的耦接导线;以及密封体,密封体将半导体芯片、耦接导线、引线的一部分和管芯焊盘的一部分密封。管芯焊盘的下表面从密封体的下表面露出,管芯焊盘和耦接导线包括铜,并且半导体芯片的厚度大于管芯焊盘的厚度与从半导体芯片的上表面到密封体的上表面的厚度之和。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种半导体装置,包括:芯片安装部,所述芯片安装部包括第一上表面和位于所述第一上表面的相对侧的第一下表面;半导体芯片,所述半导体芯片包括第二上表面、形成在所述第二上表面上方的电极以及位于所述第二上表面的相对侧的第二下表面,并且所述半导体芯片安装在所述第一上表面上方;引线;导线,所述导线将所述半导体芯片的所述电极与所述引线连接;以及密封体,所述密封体包括第三上表面和位于所述第三上表面的相对侧的第三下表面,并且将所述半导体芯片、所述导线、所述引线的一部分和所述芯片安装部的一部分密封,其中所述芯片安装部的所述第一下表面从所述密封体的所述第三下表面露出,其中所述芯片安装部和所述导线包括铜,并且其中所述半导体芯片的厚度大于所述芯片安装部的厚度与从所述半导体芯片的所述第二上表面到所述密封体的所述第三上表面的厚度之和。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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