[发明专利]ESD保护电路及其半导体器件在审
| 申请号： | 201611215680.4 | 申请日： | 2016-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN106653736A | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | 艾瑞克·布劳恩 | 申请（专利权）人： | 成都芯源系统有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60;H01L27/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 611731 四川省成都市成都*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 公开了一种保护集成电路免受ESD损坏的ESD保护电路，ESD保护电路具有放电晶体管和体区夺取电路。放电晶体管电耦接于第一节点和第二节点之间。放电晶体管的栅极和体区电耦接在一起。体区夺取电路接收第一节点处的电压和第二节点处的电压，并输出第一节点处电压和第二节点处电压中电压值较小的那个。体区夺取电路输出的电压被提供至放电晶体管的体区。这样，ESD保护电路不仅能够对集成电路提供ESD保护，还能避免噪音被带入集成电路中。 | ||
| 搜索关键词： | esd 保护 电路 及其 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种ESD保护电路，耦接于第一节点和第二节点之间，其中，第一节点具有第一电压，第二节点具有第二电压，ESD保护电路包括：放电晶体管，包括漏极、栅极、源极和体区，其中，放电晶体管的漏极耦接至第一节点，放电晶体管的源极耦接至第二节点，且放电晶体管的栅极耦接至放电晶体管的体区；以及体区夺取电路，包括第一输入端、第二输入端和输出端，其中，体区夺取电路的第一输入端耦接至第一节点，体区夺取电路的第二输入端耦接至第二节点，体区夺取电路的输出端耦接至放电晶体管的体区，其中，体区夺取电路在输出端输出第一电压和第二电压中电压值较小的。
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