[发明专利]半导体封装件的制造方法及半导体封装件在审
| 申请号： | 201611204414.1 | 申请日： | 2016-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN106981431A | 公开（公告）日： | 2017-07-25 |
| 发明（设计）人： | 桥本圣昭;山本佑子 | 申请（专利权）人： | 株式会社吉帝伟士 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/56;H01L23/488;H01L23/31 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙)11363 | 代理人： | 郭放,许伟群 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体封装件的制造方法，其与现有的制造方法相比，能够减少用于形成通孔的材料而形成通孔。所述半导体封装件的制造方法包括在支承板之上形成绝缘材料层；在所述绝缘材料层中形成通孔；在所述绝缘材料层之上配置半导体元件，使得所述半导体元件的电极位于所述通孔之上；去除所述支承板；在所述绝缘材料层的与所述半导体元件的一侧相反的面、所述通孔及所述半导体元件的所述电极的面上形成种子层；以及在所述通孔中形成金属层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体封装件的制造方法，包括如下步骤：在支承板之上形成绝缘材料层；在所述绝缘材料层中形成通孔；在所述绝缘材料层之上配置半导体元件，使得所述半导体元件的电极位于所述通孔之上；去除所述支承板；在所述绝缘材料层的与所述半导体元件的一侧相反的面、所述通孔及所述半导体元件的所述电极的面上形成种子层；以及在所述通孔中形成金属层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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