[发明专利]一种提升闪存芯片性能的方法有效
| 申请号： | 201611161176.0 | 申请日： | 2016-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN106601306B | 公开（公告）日： | 2019-12-31 |
| 发明（设计）人： | 陆磊;周第廷 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/44 | 分类号： | G11C29/44;G11C29/50 |
| 代理公司： | 31272 上海申新律师事务所 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及存储器领域，尤其涉及一种提升闪存芯片性能的方法，包括：以一第二擦除参考电流为标准对每个扇区分别进行擦除操作；以一第二规格时间为标准分别判断每个扇区的擦除时间是否超时，并记录所有超时的扇区；搜寻超时的扇区中擦除最慢的存储单元，并分别记录每个超时的扇区中擦除最慢的存储单元的地址；对每个地址分别进行分析，以根据分析结果分别对每个地址对应的存储单元进行修复；上述技术方案通过将标准的第一擦除参考电流提高以将隐藏更深的擦除慢的存储单元暴露出来，同时能够消除对正常的存储单元误搜寻，从而避免因此问题引起需修复的存储单元过多导致芯片无法正常修复的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提升 闪存 芯片 性能 方法 | ||
【主权项】：
1.一种提升闪存芯片性能的方法，所述闪存芯片包括一存储阵列，所述存储阵列包括多个扇区，每个所述扇区包括多个存储单元，每个所述存储单元用以保存一位数据；/n提供一第一擦除参考电流，用于与所述存储单元内的电流进行比较以判断所述存储单元内保存的数据是否被擦除；/n提供一第一规格时间，用于判断所述扇区在擦除过程中是否超时失效；/n其特征在于，所述方法包括：/n步骤S1，以高于所述第一擦除参考电流的一第二擦除参考电流为标准对每个所述扇区分别进行擦除操作；/n步骤S2，以短于所述第一规格时间的一第二规格时间为标准分别判断每个所述扇区的擦除时间是否超时，并记录所有超时的所述扇区；/n步骤S3，搜寻超时的所述扇区中擦除最慢的所述存储单元，并分别记录每个超时的所述扇区中擦除最慢的所述存储单元的地址；/n步骤S4，对每个所述地址分别进行分析，以根据分析结果分别对每个所述地址对应的所述存储单元进行修复。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉新芯集成电路制造有限公司，未经武汉新芯集成电路制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201611161176.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种使用检错码和纠错码相结合的固态盘纠错方法
- 下一篇：二维纳米柔性运动平台
