[发明专利]一种提升闪存芯片性能的方法

说明书

本发明涉及存储器领域，尤其涉及一种提升闪存芯片性能的方法，包括：以一第二擦除参考电流为标准对每个扇区分别进行擦除操作；以一第二规格时间为标准分别判断每个扇区的擦除时间是否超时，并记录所有超时的扇区；搜寻超时的扇区中擦除最慢的存储单元，并分别记录每个超时的扇区中擦除最慢的存储单元的地址；对每个地址分别进行分析，以根据分析结果分别对每个地址对应的存储单元进行修复；上述技术方案通过将标准的第一擦除参考电流提高以将隐藏更深的擦除慢的存储单元暴露出来，同时能够消除对正常的存储单元误搜寻，从而避免因此问题引起需修复的存储单元过多导致芯片无法正常修复的问题。

技术领域

本发明涉及存储器领域，尤其涉及一种提升闪存芯片性能的方法。

背景技术

闪存芯片通常包括一阵列区，该阵列区由阵列分布的存储器件形成，每个存储单元用以存储有一位数据，阵列区中存储单元通常按逻辑划分形成多个扇区。

市场对闪存产品擦除操作的速度和性能的要求越来越高。由于阵列区存在的单个或几个擦除缓慢的存储单元，首先在性能测试过程中，会导致芯片或扇区擦除时间超出规格时间而失效；其次，在测试的过程中会导致整个扇区擦除时间越来越长，随着测试的进行，擦除时间可能是正常扇区的几倍甚至几十倍，致使闪存芯片的性能达不到客户要求。

目前，闪存芯片搜寻擦除缓慢的存储单元主要是通过一个统一固定的参考电流或参考电压，以读操作的方式来发现问题，这会带来以下问题：擦除缓慢的存储单元无法全部被搜寻到；正常的存储单元被误搜寻，误搜寻发生过多会造成需修复的存储单元过多，从而导致芯片无法正常修复。

发明内容

针对上述问题，本发明提出了一种提升闪存芯片性能的方法，所述闪存芯片包括一存储阵列，所述存储阵列包括多个扇区，每个所述扇区包括多个存储单元，每个所述存储单元用以保存一位数据；

提供一第一擦除参考电流，用于与所述存储单元内的电流进行比较以判断所述存储单元内保存的数据是否被擦除；

提供一第一规格时间，用于判断所述扇区在擦除过程中是否超时失效；

所述方法包括：

步骤S1，以高于所述第一擦除参考电流的一第二擦除参考电流为标准对每个所述扇区分别进行擦除操作；

步骤S2，以短于所述第一规格时间的一第二规格时间为标准分别判断每个所述扇区的擦除时间是否超时，并记录所有超时的所述扇区；

步骤S3，搜寻超时的所述扇区中擦除最慢的所述存储单元，并分别记录每个超时的所述扇区中擦除最慢的所述存储单元的地址；

步骤S4，对每个所述地址分别进行分析，以根据分析结果分别对每个所述地址对应的所述存储单元进行修复。

上述的方法，其中，搜寻失效的每个所述扇区中擦除最慢的所述存储单元的具体方法为：

在所述存储单元的字线上提供一阶梯电压，采用所述阶梯电压按照由高到低的次序以读的方式分别搜寻整个超时的所述扇区，于搜寻到第一个所述存储单元时将所述存储单元定义为擦除最慢的所述存储单元，并停止当前扇区中的搜寻。

上述的方法，其中，还包括：

步骤S5，以所述第一擦除参考电流和所述第一规格时间为标准分别对每个修复后的所述存储单元所在的所述扇区进行正常的擦除测试；

步骤S6，如所述擦除测试通过，则将所述第二擦除参考电流恢复至所述第一擦除参考电流。

上述的方法，其中，所述阶梯电压中的最高电压高于一预设上限；

所述预设上限为所述存储单元在擦除状态下的最大阈值电压。

上述的方法，其中，所述预设上限为4.5V。