[发明专利]一种提升闪存芯片性能的方法

权利要求书

1.一种提升闪存芯片性能的方法，所述闪存芯片包括一存储阵列，所述存储阵列包括多个扇区，每个所述扇区包括多个存储单元，每个所述存储单元用以保存一位数据；

提供一第一擦除参考电流，用于与所述存储单元内的电流进行比较以判断所述存储单元内保存的数据是否被擦除；

提供一第一规格时间，用于判断所述扇区在擦除过程中是否超时失效；

其特征在于，所述方法包括：

步骤S1，以高于所述第一擦除参考电流的一第二擦除参考电流为标准对每个所述扇区分别进行擦除操作；

步骤S2，以短于所述第一规格时间的一第二规格时间为标准分别判断每个所述扇区的擦除时间是否超时，并记录所有超时的所述扇区；

步骤S3，搜寻超时的所述扇区中擦除最慢的所述存储单元，并分别记录每个超时的所述扇区中擦除最慢的所述存储单元的地址；

步骤S4，对每个所述地址分别进行分析，以根据分析结果分别对每个所述地址对应的所述存储单元进行修复。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，搜寻超时的每个所述扇区中擦除最慢的所述存储单元的具体方法为：

在所述存储单元的字线上提供一阶梯电压，采用所述阶梯电压按照由高到低的次序以读的方式分别搜寻整个超时的所述扇区，于搜寻到第一个所述存储单元时将所述存储单元定义为擦除最慢的所述存储单元，并停止当前扇区中的搜寻。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：

步骤S5，以所述第一擦除参考电流和所述第一规格时间为标准分别对每个修复后的所述存储单元所在的所述扇区进行正常的擦除测试；

步骤S6，如所述擦除测试通过，则将所述第二擦除参考电流恢复至所述第一擦除参考电流。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述阶梯电压中的最高电压高于一预设上限；

所述预设上限为所述存储单元在擦除状态下的最大阈值电压。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述预设上限为4.5V。

6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述阶梯电压中大小相邻的电压值之间的差值相等。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述差值为0.1V。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对每个所述地址分别进行分析之前需要对每个所述地址进行压缩。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，搜寻超时的所述扇区的操作为读操作。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，提供一测试机；

所述测试机提供所述擦除操作和读操作所需的测试信号，以及

所述测试机记录所述地址。