[发明专利]一种腔室和半导体设备有效
| 申请号： | 201611153550.2 | 申请日： | 2016-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN108231525B | 公开（公告）日： | 2020-03-31 |
| 发明（设计）人： | 邓玉春;彭文芳;邱国庆;耿波;张超;陈鹏 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/34 | 分类号： | H01J37/34;H01L21/67;C23C14/06;C23C14/34 |
| 代理公司： | 北京思创毕升专利事务所 11218 | 代理人： | 孙向民;廉莉莉 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种腔室及半导体设备。该腔室包括腔体、设置在腔体底部的基座、套置在腔体内壁的屏蔽环、叠置在屏蔽环下表面边缘区域的遮蔽环，且遮蔽环位于基座边缘区域上方，该腔室还包括屏蔽装置，其中，屏蔽装置环绕基座设置、且位于屏蔽环下方，用于密封屏蔽环和遮蔽环之间的间隙，间隙在基座上升顶起遮蔽环后形成。本发明的半导体设备包含本发明的腔室。本发明的腔室和半导体设备通过屏蔽装置阻止了在工艺时甚高频从屏蔽环与遮蔽环之间的间隙泄露，防止了基座下方启辉，在不同靶基距进行工艺时充分利用了甚高频，提高了溅射薄膜的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体设备 | ||
【主权项】：
1.一种腔室，包括腔体、设置在所述腔体底部的基座、套置在所述腔体内壁的屏蔽环、叠置在所述屏蔽环下部的上表面边缘区域的遮蔽环，且所述遮蔽环位于所述基座边缘区域上方，其特征在于，还包括屏蔽装置，其中，所述屏蔽装置环绕所述基座设置、且位于所述屏蔽环下方，用于密封所述屏蔽环和所述遮蔽环之间的间隙，所述间隙在所述基座上升顶起所述遮蔽环后形成。
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