[发明专利]一种LED芯片及其制作方法有效
| 申请号： | 201611148825.3 | 申请日： | 2016-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN106784218B | 公开（公告）日： | 2019-10-29 |
| 发明（设计）人： | 于娜;田艳红;顾小云;王力明 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省金华市义*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种LED芯片及其制作方法，属于半导体技术领域。所述LED芯片包括衬底、以及依次层叠在衬底上的n型氮化物半导体层、发光层、p型氮化物半导体层、电流阻挡层、透明导电层，p型氮化物半导体层上设有延伸至n型氮化物半导体层的凹槽，n型氮化物半导体层、凹槽的侧壁、透明导电层上设有钝化层，透明导电层上的钝化层上设有延伸至p型氮化物半导体层的第一通孔，p型电极设置在第一通孔内，n型氮化物半导体层上的钝化层上设有延伸至n型氮化物半导体层的第二通孔，n型电极设置在第二通孔内，电流阻挡层上设有若干延伸至p型氮化物半导体层的第三通孔。本发明电流阻挡层下方发出的光线可以通过第三通孔射出，提高出光和亮度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 芯片 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种LED芯片，所述LED芯片包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的n型氮化物半导体层、发光层、p型氮化物半导体层、电流阻挡层、透明导电层，所述p型氮化物半导体层上设有延伸至所述n型氮化物半导体层的凹槽，所述n型氮化物半导体层、所述凹槽的侧壁、所述透明导电层上设有钝化层，所述透明导电层上的钝化层上设有延伸至所述p型氮化物半导体层的第一通孔，p型电极设置在所述第一通孔内，所述n型氮化物半导体层上的钝化层上设有延伸至所述n型氮化物半导体层的第二通孔，n型电极设置在所述第二通孔内，其特征在于，所述电流阻挡层上设有若干延伸至所述p型氮化物半导体层的第三通孔，所述第三通孔的底面区域与所述第一通孔的底面区域不重合；所述电流阻挡层在设置表面上呈U形，所述p型电极的形状与所述电流阻挡层的形状相匹配，且所述p型电极在所述电流阻挡层上的正投影位于所述电流阻挡层的外轮廓所围成的图形的内部，所述n型电极在设置表面上呈条形，所述条形位于所述U形的两端之间。
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