[发明专利]一种LED芯片及其制作方法

权利要求书

1.一种LED芯片，所述LED芯片包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的n型氮化物半导体层、发光层、p型氮化物半导体层、电流阻挡层、透明导电层，所述p型氮化物半导体层上设有延伸至所述n型氮化物半导体层的凹槽，所述n型氮化物半导体层、所述凹槽的侧壁、所述透明导电层上设有钝化层，所述透明导电层上的钝化层上设有延伸至所述p型氮化物半导体层的第一通孔，p型电极设置在所述第一通孔内，所述n型氮化物半导体层上的钝化层上设有延伸至所述n型氮化物半导体层的第二通孔，n型电极设置在所述第二通孔内，其特征在于，所述电流阻挡层上设有若干延伸至所述p型氮化物半导体层的第三通孔，所述第三通孔的底面区域与所述第一通孔的底面区域不重合；所述电流阻挡层在设置表面上呈U形，所述p型电极的形状与所述电流阻挡层的形状相匹配，且所述p型电极在所述电流阻挡层上的正投影位于所述电流阻挡层的外轮廓所围成的图形的内部，所述n型电极在设置表面上呈条形，所述条形位于所述U形的两端之间。

2.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述第三通孔为柱体。

3.根据权利要求2所述的LED芯片，其特征在于，所述柱体的横截面为圆形、三角形、方形、六边形中的任一种。

4.根据权利要求3所述的LED芯片，其特征在于，所述柱体的横截面上两点之间的最长距离为1～5μm。

5.根据权利要求1～4任一项所述的LED芯片，其特征在于，所述电流阻挡层采用以下材料中的一种或多种形成：二氧化硅、二氧化钛、氮化硅。

6.一种LED芯片的制作方法，所述制作方法包括：

在衬底上依次外延生长n型氮化物半导体层、发光层、p型氮化物半导体层；

在所述p型氮化物半导体层上开设延伸至所述n型氮化物半导体层上的凹槽；

在所述p型氮化物半导体层上形成电流阻挡层，所述电流阻挡层内设有延伸至所述p型氮化物半导体层的通孔；

在所述电流阻挡层和所述p型氮化物半导体层上形成透明导电层，所述透明导电层内设有与所述p型氮化物半导体层内的通孔连通的通孔；

在所述n型氮化物半导体层、所述凹槽的侧壁、所述透明导电层上形成钝化层，所述透明导电层上的钝化层内设有与所述透明导电层内的通孔连通的通孔，所述透明导电层上的钝化层内的通孔、所述透明导电层内的通孔、所述电流阻挡层内的通孔组成第一通孔，所述n型氮化物半导体层上的钝化层上设有延伸至所述n型氮化物半导体层的第二通孔；

在所述第一通孔内设置p型电极，在所述第二通孔内设置n型电极；

其特征在于，所述电流阻挡层上还设有若干延伸至所述p型氮化物半导体层的第三通孔，所述第三通孔的底面区域与所述第一通孔的底面区域不重合；所述电流阻挡层在设置表面上呈U形，所述p型电极的形状与所述电流阻挡层的形状相匹配，且所述p型电极在所述电流阻挡层上的正投影位于所述电流阻挡层的外轮廓所围成的图形的内部，所述n型电极在设置表面上呈条形，所述条形位于所述U形的两端之间。

7.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述第三通孔为柱体。

8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述柱体的横截面为圆形、三角形、方形、六边形中的任一种。

9.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述柱体的横截面上两点之间的最长距离为1～5μm。

10.根据权利要求6～9任一项所述的制作方法，其特征在于，所述电流阻挡层采用以下材料中的一种或多种形成：二氧化硅、二氧化钛、氮化硅。