[发明专利]一种高效散热的发光二极管在审

专利信息
申请号: 201611137988.1 申请日: 2016-12-12
公开(公告)号: CN108615801A 公开(公告)日: 2018-10-02
发明(设计)人: 王波 申请(专利权)人: 王波
主分类号: H01L33/30 分类号: H01L33/30;H01L33/60;H01L33/64
代理公司: 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 代理人: 韩雪
地址: 613100 四川*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了一种高效散热的发光二极管,其特征在于:包括n‑GaN层、多量子阱层、p‑GaN层、薄电极金属层、绝缘层、厚电极金属层和基底;由上到下分别为n‑GaN层和p‑GaN层,所述p‑GaN层和n‑GaN层之间生长有多量子阱层;所述p‑GaN层上沉积有薄电极金属层,薄电极金属层外设有绝缘层;所述绝缘层上沉积厚电极金属层;所述绝缘层上开有孔,孔内有导线连接薄电极金属层和厚电极金属层;所述厚电极金属层与n‑GaN层连接,再通过共晶与基底焊接在一起。本发明采用倒装结构,采用倒装结构和基底的平面连接,提高散热性能,温度均匀性;同时设有多层结构的反光作用,提高发光二极管的发光效率。
搜索关键词: 金属层 绝缘层 薄电极 厚电极 发光二极管 基底 多量子阱层 倒装结构 高效散热 沉积 温度均匀性 导线连接 多层结构 发光效率 反光作用 平面连接 散热性能 由上到下 共晶 焊接 生长
【主权项】:
1.一种高效散热的发光二极管,其特征在于:包括n‑GaN层、多量子阱层、p‑GaN层、薄电极金属层、绝缘层、厚电极金属层和基底;由上到下分别为n‑GaN层和p‑GaN层,所述p‑GaN层和n‑GaN层之间生长有多量子阱层;所述p‑GaN层上沉积有薄电极金属层,薄电极金属层外设有绝缘层;所述绝缘层上沉积厚电极金属层;所述绝缘层上开有孔,孔内有导线连接薄电极金属层和厚电极金属层;所述厚电极金属层与n‑GaN层连接,再通过共晶与基底焊接在一起。
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