[发明专利]一种高效散热的发光二极管

说明书

本发明公开了一种高效散热的发光二极管，其特征在于：包括n‑GaN层、多量子阱层、p‑GaN层、薄电极金属层、绝缘层、厚电极金属层和基底；由上到下分别为n‑GaN层和p‑GaN层，所述p‑GaN层和n‑GaN层之间生长有多量子阱层；所述p‑GaN层上沉积有薄电极金属层，薄电极金属层外设有绝缘层；所述绝缘层上沉积厚电极金属层；所述绝缘层上开有孔，孔内有导线连接薄电极金属层和厚电极金属层；所述厚电极金属层与n‑GaN层连接，再通过共晶与基底焊接在一起。本发明采用倒装结构，采用倒装结构和基底的平面连接，提高散热性能，温度均匀性；同时设有多层结构的反光作用，提高发光二极管的发光效率。

技术领域

本发明涉及发光二极管领域，尤其是一种高效散热的发光二极管。

背景技术

发光二极管在外加电压的激励下，通过载流子发生复合放出过剩的能量而引起光子发射，从而把电能直接转换为光能，但仍有大量的电能转化为热能，如果热量不能及时散发出去，会导致半导体的温度升高，从而影响LED器件的性能，而现有的发光二极管结构散热效果不是很好，需要进行改进，同时发光效率也有待改进。

发明内容

本发明的发明目的在于：针对上述存在的问题，提供一种新的LED倒装结构，将正负极通过引线连接，同时设置绝缘层和凹形反光层，反射散光，提高LED的发光效率。

本发明采用的技术方案如下：

本发明一种高效散热的发光二极管，其特征在于：包括n-GaN层、多量子阱层、p-GaN层、薄电极金属层、绝缘层、厚电极金属层和基底；由上到下分别为n-GaN层和p-GaN层，所述p-GaN层和n-GaN层之间生长有多量子阱层；所述p-GaN层上沉积有薄电极金属层，薄电极金属层外设有绝缘层；所述绝缘层上沉积厚电极金属层；所述绝缘层上开有孔，孔内有导线连接薄电极金属层和厚电极金属层；所述厚电极金属层与n-GaN层连接，再通过共晶与基底焊接在一起。

以上结构，采用倒装结构，提高了散热性能，同时电极和基底之间的共晶焊接，且电极的地面为平面，与基底的接触面积比较大，解决了现有金球与散热板接触面积有限，散热效果不佳的问题，通过导线连接正负极，可以使正负极在同一平面上，实现倒装结构和基底的平面连接，提高散热性能，温度均匀性。

本发明一种高效散热的发光二极管，其特征在于：所述绝缘层内设置有反光层，所述反光层为凹形，覆盖于薄电极金属层的外部和p-GaN层的两端。

以上凹形反光层能够将二极管发出的大部分光进行发射，从而提高发光效率。

本发明一种高效散热的发光二极管，其特征在于：所述反光层为Ti₃O₅反光层，其厚度为1um。

以上发光二极管结构中，发光层、绝缘层和电极金属层都具有反光作用，通过三层结构的结合，能够大大的增强发光二极管的反光作用，得到更强的出射光。

本发明一种高效散热的发光二极管，其特征在于：所述n-GaN层上设有透明薄膜层，所述透明薄膜层为ITO薄膜层。

本发明一种高效散热的发光二极管，其特征在于：所述发光二极管上还设置有检测装置，用于检测空穴和电子浓度和所产生的光照强度，根据检测结果，自动调整发光二极管，实现发光二极管的控制，从而能够满足不同规格的发光二极管的需求，达到一个发光二极管在不同电路中的使用，节约使用成本。

综上所述，由于采用了上述技术方案，本发明的有益效果是：与现有技术相比，本发明采用倒装结构，基底和电极之间的共晶焊接，通过导线连接正负极，可以使正负极在同一平面上，实现倒装结构和基底的平面连接，提高散热性能，温度均匀性；同时设有多层结构的反光作用，提高发光二极管的发光效率。

附图说明

本发明将通过例子并参照附图的方式说明，其中：