[发明专利]一种高效散热的发光二极管在审
| 申请号： | 201611137988.1 | 申请日： | 2016-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN108615801A | 公开（公告）日： | 2018-10-02 |
| 发明（设计）人： | 王波 | 申请（专利权）人： | 王波 |
| 主分类号： | H01L33/30 | 分类号： | H01L33/30;H01L33/60;H01L33/64 |
| 代理公司： | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 | 代理人： | 韩雪 |
| 地址： | 613100 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属层 绝缘层 薄电极 厚电极 发光二极管 基底 多量子阱层 倒装结构 高效散热 沉积 温度均匀性 导线连接 多层结构 发光效率 反光作用 平面连接 散热性能 由上到下 共晶 焊接 生长 | ||
【权利要求书】：
1.一种高效散热的发光二极管，其特征在于：包括n-GaN层、多量子阱层、p-GaN层、薄电极金属层、绝缘层、厚电极金属层和基底；由上到下分别为n-GaN层和p-GaN层，所述p-GaN层和n-GaN层之间生长有多量子阱层；所述p-GaN层上沉积有薄电极金属层，薄电极金属层外设有绝缘层；所述绝缘层上沉积厚电极金属层；所述绝缘层上开有孔，孔内有导线连接薄电极金属层和厚电极金属层；所述厚电极金属层与n-GaN层连接，再通过共晶与基底焊接在一起。
2.根据权利要求1所述的高效散热的发光二极管，其特征在于：所述绝缘层内设置有反光层，所述反光层为凹形，覆盖于薄电极金属层的外部和p-GaN层的两端。
3.根据权利要求2所述的高效散热的发光二极管，其特征在于：所述反光层为Ti3O5反光层，其厚度为1um。
4.根据权利要求1所述的高效散热的发光二极管，其特征在于：所述n-GaN层上设有透明薄膜层，所述透明薄膜层为ITO薄膜层。
5.根据权利要求1所述的高效散热的发光二极管，其特征在于：所述发光二极管上还设置有检测装置，用于检测空穴和电子浓度和所产生的光照强度。
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