[发明专利]半导体装置的形成方法在审
| 申请号： | 201611131617.2 | 申请日： | 2016-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN107170687A | 公开（公告）日： | 2017-09-15 |
| 发明（设计）人： | 布莱戴恩·杜瑞茲;乔滋尔斯·凡里恩提斯 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/06 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司72003 | 代理人： | 张福根 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体装置的形成方法，其包括形成鳍结构于基板之上，及形成绝缘层于鳍结构周围。半导体装置的形成方法更包括移除部分鳍结构以于绝缘层中形成一沟槽，并以半导体材料填充沟槽。半导体装置的形成方法更包括回流半导体材料以形成纳米线结构及空腔于纳米线结构之下。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的形成方法，包括:形成一鳍结构于一基板之上；形成一绝缘层于该鳍结构周围；移除该鳍结构的一部分以于该绝缘层中形成一沟槽；以一半导体材料填充该沟槽；以及回流该半导体材料以形成一纳米线结构及一空腔于该纳米线结构之下。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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