[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201611125151.5 | 申请日： | 2016-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN108183073A | 公开（公告）日： | 2018-06-19 |
| 发明（设计）人： | 禹国宾;徐小平 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/265;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 高静;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，所述形成方法包括：提供基底，所述基底包括衬底以及位于所述衬底上的鳍部；在所述鳍部侧壁形成支撑层；对所述鳍部进行离子注入，以形成离子掺杂区。本发明在形成包括有鳍部的基底之后，在对所述鳍部进行离子注入之前，在所述鳍部侧壁形成支撑层。由于所述支撑层能够在离子注入过程中对所述鳍部起到支撑作用，从而能够有效的减少所述鳍部在离子注入过程中出现弯折现象，有利于提高所述鳍部的质量，有利于改善半导体结构的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 鳍部 半导体结构 支撑层 基底 离子注入过程 侧壁 衬底 离子 离子掺杂区 电学性能 支撑作用 弯折 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括衬底以及位于所述衬底上的鳍部；在所述鳍部侧壁形成支撑层；对所述鳍部进行离子注入，以形成离子掺杂区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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