[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201611125151.5 | 申请日： | 2016-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN108183073A | 公开（公告）日： | 2018-06-19 |
| 发明（设计）人： | 禹国宾;徐小平 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/265;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 高静;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 鳍部 半导体结构 支撑层 基底 离子注入过程 侧壁 衬底 离子 离子掺杂区 电学性能 支撑作用 弯折 | ||
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
提供基底，所述基底包括衬底以及位于所述衬底上的鳍部；
在所述鳍部侧壁形成支撑层；
对所述鳍部进行离子注入，以形成离子掺杂区。
2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成支撑层的步骤中，所述支撑层为单层结构或叠层结构。
3.如权利要求1或2所述的形成方法，其特征在于，形成支撑层的步骤中，所述支撑层的材料为氮化硅、氮氧化硅、氧化硅、氧化铝、氧化锆、磷硅酸玻璃、非晶碳中的一种或多种。
4.如权利要求1或2所述的形成方法，其特征在于，形成支撑层的步骤中，所述支撑层为氧化物-氮化物-氧化物结构或者氮化物-氧化物-氮化物结构。
5.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成支撑层的步骤中，所述支撑层的厚度在到范围内。
6.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成支撑层的步骤包括：通过原子层沉积、炉管或者化学气相沉积的方式形成所述支撑层。
7.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，进行离子注入的步骤包括：
对所述鳍部进行离子注入，在所述鳍部内形成阱掺杂区；
或者，对所述鳍部进行离子注入，在所述鳍部内形成口袋掺杂区；
或者，对所述鳍部进行离子注入，在所述鳍部内形成轻掺杂区；
或者，对所述鳍部进行离子注入，在所述鳍部内形成源漏掺杂区。
8.如权利要求1或7所述的形成方法，其特征在于，进行离子注入的步骤中，工艺温度在20℃到30℃范围内。
9.如权利要求1或7所述的形成方法，其特征在于，进行离子注入的步骤包括：对所述鳍部进行离子注入，在所述鳍部内形成源漏掺杂区；
进行离子注入的步骤中，注入剂量在1E13atom/cm2到5E15atom/cm2范围内，注入能量在2KeV到60KeV范围内，所述离子注入的注入方向与法向之间的角度在0°到30°范围内。
10.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，进行离子注入之后，所述形成方法还包括：去除所述支撑层，露出所述鳍部侧壁。
11.如权利要求10所述的形成方法，其特征在于，去除所述支撑层的步骤包括：通过湿法刻蚀的方式去除所述支撑层。
12.如权利要求11所述的形成方法，其特征在于，形成支撑层的步骤中，所述支撑层的材料为氮化硅；
通过湿法刻蚀的方式去除所述支撑层的步骤包括：通过磷酸湿法刻蚀的方式去除所述支撑层。
13.如权利要求11所述的形成方法，其特征在于，通过磷酸湿法刻蚀的方式去除所述支撑层的步骤中，磷酸溶液的质量百分比浓度在50％到90％范围内，工艺温度在0℃到180℃范围内，工艺时间在60s到3min范围内。
14.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成所述支撑层的步骤中，所述支撑层还位于所述鳍部顶部上以及鳍部之间的衬底上。
15.一种半导体结构，其特征在于，包括：
基底，所述基底包括衬底以及位于所述衬底上的鳍部，所述鳍部内具有离子掺杂区；
位于所述鳍部侧壁上的支撑层。
16.如权利要求15所述的半导体结构，其特征在于，所述支撑层为单层结构或叠层结构。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
