[发明专利]一种基于体硅的SOI FinFET的制作方法

摘要

本申请提供一种基于体硅的SOI FinFET的制作方法，在外延锗硅层时，所述锗硅层上带有开口，使得锗硅层在开口处断开，后续外延Fin结构层时，以Fin结构层材料填充该部分，在后续刻蚀去除锗硅层时，由于锗硅层的刻蚀速率远远大于Fin结构层的刻蚀速率，开口处的Fin结构层可以作为锗硅层的刻蚀停止层，从而使得开口处的Fin结构层的尺寸由开口的尺寸决定，进而使得开口处的Fin结构层尺寸容易控制，也即后续形成隐埋氧化层的尺寸较容易控制，避免了因隐埋氧化层的尺寸过小出现Fin容易倾倒或因隐埋氧化层的尺寸过大，氧化不完整，未被全部氧化的问题，进而提高了基于体硅的SOIFinFET器件的性能。

主权项

1.一种基于体硅的SOI FinFET的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底表面外延带有开口的锗硅层，所述开口将所述锗硅层断开为两部分；在所述锗硅层上外延Fin结构层，使得所述开口被所述Fin结构层材料填充；刻蚀去除所述开口两侧的部分所述半导体衬底、部分所述锗硅层和部分所述Fin结构层，保留所述开口上及所述开口两侧的部分Fin结构层，使所述半导体衬底朝向所述锗硅层的表面低于所述锗硅层朝向所述半导体衬底的表面，形成鳍；氧化所述开口处的Fin结构层，形成隐埋氧化层；在所述半导体衬底表面形成隔离层，所述隔离层背离所述半导体衬底的表面高于所述隐埋氧化层背离所述半导体衬底的表面；在所述鳍上制作栅极，形成基于体硅的SOI FinFET结构；其中，所述Fin结构层的刻蚀速率小于所述锗硅层的刻蚀速率。