[发明专利]一种晶体材料、其制备方法及包含其的非线性光学晶体

摘要

本申请公开了一种晶体材料、其制备方法、包含其的非线性光学晶体材料及其在激光器中的应用。所述晶体材料化学式为[A₂M₄Q₇]_n或[AM₃Q₅]_n；A代表Na、K、Rb、Cs中的至少一种；M代表Ga和/或In；Q代表S和/或Se；1≤n≤4。该晶体材料具有优良的红外非线性光学性能，倍频强度可达同粒度商用AgGaS₂的7.0倍，激光损伤阈值可达商用AgGaS₂(可简写为AGS)的11倍。在中远红外波段激光倍频、和频、差频、光参量振荡等变频器件方面，具有重要的应用价值。

主权项

1.一种晶体材料，其特征在于，所述晶体材料是化学式为式I‑1的晶体材料的晶体材料中的一种；Na₂In₄SSe₆  式I‑1化学式为式I‑1的晶体材料，属于正交晶系的Pca2₁空间群，晶胞参数为α＝90°，β＝90°，γ＝90°，Z＝4。