[发明专利]一种晶体材料、其制备方法及包含其的非线性光学晶体有效
| 申请号： | 201611108475.8 | 申请日： | 2016-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN106757365B | 公开（公告）日： | 2019-07-30 |
| 发明（设计）人： | 李淑芳;郭国聪;姜小明;徐忠宁;曾卉一 | 申请（专利权）人： | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 主分类号： | C30B29/46 | 分类号： | C30B29/46;C30B1/10;G02F1/355 |
| 代理公司： | 北京元周律知识产权代理有限公司 11540 | 代理人： | 张莹 |
| 地址： | 350002 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶体材料 商用 制备 非线性光学晶体材料 非线性光学晶体 红外非线性光学 中远红外波段 光参量振荡 变频器件 激光倍频 激光损伤 激光器 倍频 差频 和频 应用 申请 | ||
1.一种晶体材料，其特征在于，所述晶体材料是化学式为式I-1的晶体材料的晶体材料中的一种；
Na2In4SSe6 式I-1
化学式为式I-1的晶体材料，属于正交晶系的Pca21空间群，晶胞参数为α＝90°，β＝90°，γ＝90°，Z＝4。
2.制备权利要求1所述晶体材料的方法，其特征在于，至少包含以下步骤：将含有Na元素、In元素、S元素和Se元素的原料置于真空条件下采用高温固相法制备得到所述晶体材料。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述晶体材料是化学式为式I的晶体材料，所述原料中Na元素、In元素、S元素和Se元素的摩尔比为：
Na：In：(S+Se)＝2：4：7～15。
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述原料由Na2S、In单质和Se单质混合得到。
5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述高温固相法为将原料置于真空条件下，加热至600℃～950℃保持不少于48小时后，降温冷却即得所述晶体材料。
6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述高温固相法为将原料置于真空条件下，加热至700℃～950℃保持48小时～96小时后，降温冷却即得所述晶体材料。
7.根据权利要求5或6所述的方法，其特征在于，所述降温冷却为先以1～5℃/h的降温速率降至200℃～400℃后，再关闭加热冷却至室温。
8.一种非线性光学晶体材料，其特征在于，含有权利要求1所述的晶体材料、根据权利要求2至7任一项所述方法制备得到的晶体材料中的至少一种。
9.权利要求8所述非线性光学晶体材料在激光器中的应用。
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