[发明专利]半导体结构及其形成方法、以及SRAM有效
| 申请号： | 201611072328.X | 申请日： | 2016-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN108122976B | 公开（公告）日： | 2020-11-03 |
| 发明（设计）人： | 李勇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L27/11 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 高静;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法、以及SRAM，所述方法包括：提供基底，包括衬底以及位于衬底上分立的鳍部，衬底包括相邻上拉晶体管区和下拉晶体管区；形成横跨鳍部且覆盖部分鳍部顶部和侧壁表面的栅极结构；在上拉晶体管区栅极结构两侧鳍部内形成上拉掺杂外延层；在下拉晶体管区栅极结构一侧鳍部内形成第一下拉掺杂区，用于与相邻上拉掺杂外延层相连；在下拉晶体管区栅极结构另一侧鳍部内形成第二下拉掺杂区，第二下拉掺杂区采用对鳍部进行离子掺杂的非外延层方式形成。相比通过形成下拉外延层以形成第二下拉掺杂区的方案，本发明可以避免因鳍部之间距离过近的原因，而出现第二下拉掺杂区与上拉掺杂外延层发生桥接的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 以及 sram | ||
【主权项】：
一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括衬底以及位于所述衬底上分立的鳍部，所述衬底包括相邻的上拉晶体管区和下拉晶体管区；形成横跨所述鳍部的栅极结构，且所述栅极结构覆盖部分鳍部顶部表面和侧壁表面；在所述上拉晶体管区栅极结构两侧的鳍部内形成上拉掺杂外延层；在所述下拉晶体管区栅极结构一侧的鳍部内形成第一下拉掺杂区，所述第一下拉掺杂区用于与相邻上拉掺杂外延层相连；在所述下拉晶体管区栅极结构另一侧的鳍部内形成第二下拉掺杂区，且所述第二下拉掺杂区采用对所述鳍部进行离子掺杂的非外延层方式形成。
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