[发明专利]一种LED芯片及其制作方法有效
| 申请号： | 201611067348.8 | 申请日： | 2016-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN106784174B | 公开（公告）日： | 2019-03-08 |
| 发明（设计）人： | 田艳红;马欢;顾小云;王力明 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/78;H01L33/20 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省金华市义*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种LED芯片及其制作方法，属于半导体技术领域。所述制作方法包括：在蓝宝石衬底上依次外延生长N型GaN层、有源层、P型GaN层；开设延伸到N型GaN层的凹槽；在P型GaN层上形成电流阻挡层；在P型GaN层、以及电流阻挡层上形成透明导电层，透明导电层和电流阻挡层内设有延伸到P型GaN层的通孔；在透明导电层、凹槽的侧壁和N型GaN层上形成钝化层，并通过通孔在P型GaN层上形成P型焊盘，在N型GaN层上形成N型焊盘；将功率逐渐增大的激光作用在凹槽内，形成划片道的同时解除划片道内的应力；沿划片道的延伸方向进行劈裂，得到芯片，各个芯片上划片道的宽度为2～4μm。本发明增大了发光区的面积。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 芯片 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种LED芯片的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：在蓝宝石衬底上依次外延生长N型GaN层、有源层、P型GaN层；在所述P型GaN层上开设延伸到所述N型GaN层的凹槽；在所述P型GaN层上对应设置P型焊盘的区域形成电流阻挡层；在所述P型GaN层、以及所述电流阻挡层上形成透明导电层，所述透明导电层和所述电流阻挡层内设有延伸到所述P型GaN层的通孔；在所述透明导电层、所述凹槽的侧壁和所述N型GaN层上形成钝化层，并通过所述通孔在所述P型GaN层上形成所述P型焊盘，在所述N型GaN层上形成N型焊盘；将功率逐渐增大的激光作用在所述凹槽内，形成划片道的同时解除划片道内的应力；沿划片道的延伸方向进行劈裂，得到若干相互独立的芯片，各个所述芯片上划片道的宽度为2～4μm。
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