[发明专利]一种LED芯片及其制作方法

权利要求书

1.一种LED芯片的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

在蓝宝石衬底上依次外延生长N型GaN层、有源层、P型GaN层；

在所述P型GaN层上开设延伸到所述N型GaN层的凹槽；

在所述P型GaN层上对应设置P型焊盘的区域形成电流阻挡层；

在所述P型GaN层、以及所述电流阻挡层上形成透明导电层，所述透明导电层和所述电流阻挡层内设有延伸到所述P型GaN层的通孔；

在所述透明导电层、所述凹槽的侧壁和所述N型GaN层上形成钝化层，并通过所述通孔在所述P型GaN层上形成所述P型焊盘，在所述N型GaN层上形成N型焊盘；

将功率逐渐增大的激光作用在所述凹槽内，形成划片道的同时解除划片道内的应力；

沿划片道的延伸方向进行劈裂，得到若干相互独立的芯片，各个所述芯片上划片道的宽度为2～4μm。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述激光的功率的变化范围为0.5～1.2W，所述激光的功率的变化速率为0.1W/ms。

3.根据权利要求1或2所述的制作方法，其特征在于，所述透明导电层包覆在所述电流阻挡层外、以及所述电流阻挡层内的所述通孔的内壁上。

4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述在所述透明导电层、所述凹槽的侧壁和所述N型GaN层上形成钝化层，并通过所述通孔在所述P型GaN层上形成所述P型焊盘，在所述N型GaN层上形成N型焊盘，包括：

在所述透明导电层、所述通孔内、所述凹槽的侧壁和所述N型GaN层上形成钝化层；

在所述钝化层上涂覆一层光刻胶，并采用光刻工艺去除对应所述通孔和设置所述N型焊盘的区域的所述光刻胶；

在所述光刻胶的保护下对所述钝化层进行刻蚀，露出所述通孔和所述N型焊盘设置区域的所述N型GaN层；

在所述通孔内、所述N型GaN层上、以及所述光刻胶上形成电极；

剥离所述光刻胶，形成所述P型焊盘和所述N型焊盘。

5.根据权利要求1或2所述的制作方法，其特征在于，所述在所述P型GaN层、以及所述电流阻挡层上形成透明导电层，包括：

采用磁控溅射技术或者电子束蒸发技术在所述P型GaN层上、所述电流阻挡层上、以及所述凹槽内沉积氧化铟锡层或者NiAu层；

在所述氧化铟锡层或者NiAu层上涂覆一层光刻胶，并采用光刻技术去除对应所述凹槽区域的所述光刻胶；

在所述光刻胶的保护下对所述氧化铟锡层或者NiAu层进行刻蚀，形成所述透明导电层。

6.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括：

采用快速热退火技术或者在退火炉中氧气氛围内进行高温退火，使所述透明导电层与所述P型GaN层之间形成良好的欧姆接触。

7.一种LED芯片，所述LED芯片包括蓝宝石衬底、以及依次层叠在所述蓝宝石衬底上的N型GaN层、有源层、P型GaN层、电流阻挡层、透明导电层，所述P型GaN层上开设有延伸到所述N型GaN层的凹槽，所述凹槽的侧壁、所述N型GaN层和所述透明导电层上设有钝化层，所述透明导电层和所述电流阻挡层内设有延伸到所述P型GaN层的通孔，P型焊盘设置在所述通孔内，N型焊盘设置在所述N型GaN层上，其特征在于，所述LED芯片的边缘设有划片道，所述划片道的宽度为2～4μm。

8.根据权利要求7所述的LED芯片，其特征在于，所述透明导电层包覆在所述电流阻挡层外、以及所述电流阻挡层内的所述通孔的内壁上。

9.根据权利要求7或8所述的LED芯片，其特征在于，所述电流阻挡层的材料采用二氧化硅、氮氧化硅或者氮化硅，所述钝化层的材料采用二氧化硅或者氮氧化硅。

10.根据权利要求7或8所述的LED芯片，其特征在于，所述透明导电层的材料采用氧化铟锡或者NiAu。