[发明专利]一种存储单元的制作方法

摘要

本发明提供一种存储单元的制作方法，属于半导体制造技术领域，包括：提供一定义有栅极预制备区及源漏预制备区的半导体衬底并于半导体衬底表面依次形成一浮栅隧穿氧化层、一浮栅多晶硅层以及一浮栅二氧化硅层；于栅极预制备区上方的浮栅二氧化硅层形成一第一凹槽；去除浮栅二氧化硅层，且于栅极预制备区上方的浮栅多晶硅层形成一第二凹槽；在浮栅多晶硅层上方沉积一ONO层；于ONO层表面形成一控制栅层；去除源漏预制备区上方的控制栅层、ONO层以及浮栅多晶硅层；于源漏预制备区实施离子注入工艺后进行退火处理以形成源漏极。本发明的有益效果：提高浮栅与控制栅的接触面积，提高浮栅与控制栅的耦合率，从而提高存储单元的写入和擦除效率。

主权项

1.一种存储单元的制作方法，其特征在于，所述方法包括：步骤S1、提供一定义有栅极预制备区及源漏预制备区的半导体衬底，并于所述半导体衬底表面依次形成一浮栅隧穿氧化层、一浮栅多晶硅层以及一浮栅二氧化硅层；步骤S2、于所述栅极预制备区上方的所述浮栅二氧化硅层形成一第一凹槽；步骤S3、去除所述浮栅二氧化硅层，且于所述栅极预制备区上方的所述浮栅多晶硅层形成一第二凹槽；步骤S4、在所述浮栅多晶硅层上方沉积一ONO层，使所述ONO层覆盖所述浮栅多晶硅层表面以及所述第二凹槽的槽壁及槽底；步骤S5、于所述ONO层表面形成一控制栅层，并使所述控制栅层填充所述第二凹槽；步骤S6、去除所述源漏预制备区上方的所述控制栅层、所述ONO层以及所述浮栅多晶硅层；步骤S7、于所述源漏预制备区实施离子注入工艺后进行退火处理以形成源漏极。