[发明专利]一种存储单元的制作方法

权利要求书

1.一种存储单元的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

步骤S1、提供一定义有栅极预制备区及源漏预制备区的半导体衬底，并于所述半导体衬底表面依次形成一浮栅隧穿氧化层、一浮栅多晶硅层以及一浮栅二氧化硅层；

步骤S2、于所述栅极预制备区上方的所述浮栅二氧化硅层形成一第一凹槽；

步骤S3、去除所述浮栅二氧化硅层，且于所述栅极预制备区上方的所述浮栅多晶硅层形成一第二凹槽；

步骤S4、在所述浮栅多晶硅层上方沉积一ONO层，使所述ONO层覆盖所述浮栅多晶硅层表面以及所述第二凹槽的槽壁及槽底；

步骤S5、于所述ONO层表面形成一控制栅层，并使所述控制栅层填充所述第二凹槽；

步骤S6、去除所述源漏预制备区上方的所述控制栅层、所述ONO层以及所述浮栅多晶硅层；

步骤S7、于所述源漏预制备区实施离子注入工艺后进行退火处理以形成源漏极。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述半导体衬底上通过浅槽隔离工艺定义一P阱区，并于所述P阱区中定义形成所述栅极预制备区，以及于所述栅极预制备区两侧定义形成所述源漏预制备区。

3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述步骤S2中通过一刻蚀工艺，形成所述第一凹槽。

4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述步骤S3中通过一刻蚀工艺，利用所述第一凹槽，于去除所述浮栅二氧化硅层的同时，于所述栅极预制备区上方的所述浮栅多晶硅层形成一第二凹槽。

5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述步骤S6通过一刻蚀工艺，去除所述浮栅多晶硅层、所述ONO层以及所述控制栅层。

6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述步骤S2包括：

步骤S21、于所述浮栅二氧化硅层上涂布光刻胶层；

步骤S22、图案化所述光刻胶层；

步骤S23、以图案化的所述光刻胶层为掩膜，刻蚀位于所述栅极制备区上方的所述浮栅二氧化硅层以形成所述第一凹槽；

步骤S24、去除所述光刻胶层。

7.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述步骤S23中，采用湿法刻蚀的方式刻蚀所述浮栅二氧化硅层，所述第一凹槽为倒梯形结构。

8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述步骤S3中，采用干法刻蚀的方式刻蚀所述浮栅多晶硅层，所述第二凹槽为倒梯形结构。

9.根据权利要求8中所述的制作方法，其特征在于，所述步骤S2中的湿法刻蚀和所述步骤S3中的干法刻蚀的刻蚀率相同。

10.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述步骤S5中，采用干法刻蚀的方式刻蚀所述浮栅多晶硅层、所述ONO层以及所述控制栅层。