[发明专利]半导体结构、电极结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201611046742.3 | 申请日： | 2016-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN107039581B | 公开（公告）日： | 2022-11-29 |
| 发明（设计）人： | 周仲彦;宋福庭;张耀文;刘世昌 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/12 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 路勇 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例提供一种半导体结构、电极结构及其形成方法，该半导体结构包含：第N金属层；扩散势垒层，其位于所述第N金属层上方；第一底部电极材料沉积，其位于所述扩散势垒层上方；第二底部电极材料沉积，其位于所述第一底部电极材料沉积上方；磁性隧穿结MTJ层，其位于所述第二底部电极材料沉积上方；顶部电极，其位于所述MTJ层上方；及第(N+1)金属层，其位于所述顶部电极上方；其中所述扩散势垒层及所述第一底部电极材料沉积与电介质层横向地接触，所述第一底部电极材料沉积将所述扩散势垒层与所述第二底部电极材料沉积间隔开，且N为大于或等于1的整数。还揭露相关联电极结构及方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 电极 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，其包括：第N金属层；扩散势垒层，其位于所述第N金属层上方；第一电极材料沉积，其位于所述扩散势垒层上方；第二电极材料沉积，其位于所述第一电极材料沉积上方；磁性隧穿结MTJ层，其位于所述第二电极材料沉积上方；顶部电极，其位于所述MTJ层上方；及第(N+1)金属层，其位于所述顶部电极上方；其中所述扩散势垒层及所述第一电极材料沉积与电介质层横向地接触，所述第一电极材料沉积将所述扩散势垒层与所述第二电极材料沉积间隔开，且N为大于或等于1的整数。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201611046742.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种推测多线程调度方法及装置
- 下一篇：以太网网关、以太网网关设备以及系统
