[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明的实施例提供了半导体器件及其制造方法。半导体器件包括设置在衬底上方的第一沟道层、设置在衬底上方的第一源极/漏极区域、设置在每个第一沟道层上并且包裹每个第一沟道层的栅极介电层以及设置在栅极介电层上并且包裹每个第一沟道层的栅电极层。第一沟道层的每个均包括由第一半导体材料制成的半导体线。半导体线延伸至第一源极/漏极区域。第一源极/漏极中的半导体线由第二半导体材料包裹围绕。

主权项

一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底上方形成交替地堆叠在第一方向上的第一半导体层和第二半导体层的堆叠结构；将所述堆叠结构图案化成鳍结构；在所述鳍结构上方形成牺牲栅极结构，从而使得所述牺牲栅极结构覆盖所述鳍结构的部分而所述鳍结构的剩余部分保持暴露，所述剩余部分为源极/漏极区域并且所述鳍结构中由所述牺牲栅极结构覆盖的所述部分为沟道区域；去除所述鳍结构的所述源极/漏极区域中的所述第二半导体层，从而使得所述源极/漏极区域中的所述第一半导体层暴露并且彼此间隔开；使所述沟道区域中的所述第二半导体层在垂直于所述第一方向的第二方向上向内朝着所述牺牲栅极结构凹进；在所述源极/漏极区域中的暴露的所述第一半导体层上形成外延源极/漏极结构，从而使得所述外延源极/漏极结构包裹在所述源极/漏极区域中的暴露的所述第一半导体层的每个的周围；去除所述牺牲栅极结构以暴露所述鳍结构的所述沟道区域；在去除所述牺牲栅极结构之后，去除所述鳍结构的暴露的所述沟道区域中的所述第二半导体层，从而暴露所述沟道区域中的所述第一半导体层；以及在所述沟道区域中的暴露的所述第一半导体层周围形成栅极介电层和栅电极层。