[发明专利]坩埚、坩埚的制备方法及4H-SiC晶体的生长方法在审
| 申请号： | 201611024115.X | 申请日： | 2016-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN108070909A | 公开（公告）日： | 2018-05-25 |
| 发明（设计）人： | 三重野文健 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B11/12;C30B15/10;C30B15/08;C30B15/02;C23C16/32 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201306 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种坩埚、坩埚的制备方法及4H‑SiC晶体的生长方法，所述坩埚包括：石墨坩埚主体；SiC层，位于所述石墨坩埚主体的内壁上。本发明的坩埚通过在石墨坩埚主体内壁上形成SiC层，所述SiC层可以在4H‑SiC晶体生长过程中作为补给碳源及硅源；所述坩埚不存在纯度不够高的问题，且所述坩埚的成本相较于SiC坩埚的成本大大降低。 | ||
| 搜索关键词： | 坩埚 石墨坩埚 晶体的 制备 晶体生长过程 主体内壁 生长 硅源 内壁 补给 | ||
【主权项】：
1.一种坩埚，其特征在于，所述坩埚包括：石墨坩埚主体；SiC层，位于所述石墨坩埚主体的内壁上。
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