[发明专利]半导体结构在审
| 申请号： | 201610996708.6 | 申请日： | 2016-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN106816472A | 公开（公告）日： | 2017-06-09 |
| 发明（设计）人： | 宋学昌;陈两仪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司72003 | 代理人： | 冯志云,王芝艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 源极/漏极(S/D)结构包含外延成长的SiGe结构，其具有斜向晶面于凹陷的鳍状结构上，并与FinFET的通道部分相邻。第一Ge结构具有圆润表面，且外延成长于SiGe结构上。盖层形成于Ge结构的圆润表面上。盖层的组成可为Si。这种S/D结构具有较大的物理尺寸以提供较低的触电阻，并具有较大体积与较高浓度的Ge以施加更高的压缩应变至FinFET的通道部分。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包括：一第一外延的SiGe结构与一晶体管通道区的一第一端相邻，且该第一外延的SiGe结构具有斜向晶面；一第一外延的Ge结构位于该第一外延的SiGe结构上，且该第一外延的Ge结构具有圆润表面；以及一第一盖层位于该第一外延的Ge结构的圆润表面上。
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