[发明专利]半导体结构

说明书

技术领域

本公开实施例涉及FinFET，更特别涉及其S/D结构。

背景技术

半导体结构与工艺上的许多发展，缩小了集成电路的尺寸并增加其效能。半导体结构近来的发展之一为导入FinFET的晶体管结构。本领域技术人员应理解，FinFET的电性效能受许多因素影响，包括用于鳍状物两侧上的源极区与漏极区的接点品质。

发明内容

本公开一实施例提供的半导体结构，包含第一外延的SiGe结构与晶体管通道区的第一端相邻，且第一外延的SiGe结构具有斜向晶面。第一外延的Ge结构位于第一外延的SiGe结构上，且第一外延的Ge结构具有圆润表面。第一盖层位于第一外延的Ge结构的圆润表面上。

附图说明

图1A为一些实施例中，半导体结构的透视图。

图1B为一些实施例中，晶体管的上视图。

图2A与图2B为一些实施例中，晶体管区的剖视图。

图3A与图3B为一些实施例中，形成掺杂的源极区与漏极区之后的晶体管区其剖视图。

图4为一实施例中，半导体装置结构的源极/漏极区的剖视图。

图5为一实施例中，半导体装置结构的源极/漏极区的剖视图。

图6为一实施例中，半导体装置结构的源极/漏极区的剖视图。

图7A与图7B为一些实施例中，形成掺杂的源极区与漏极区之后的晶体管区其剖视图。

图8为一实施例中，方法的流程图。

其中，附图标记说明如下：

H₁、H₂、H₃、H_T厚度

h_c、h_d、h_s、h_t、H₄、H_F、H_G、H_SD 高度

H_R深度

L、L_S长度

r 近似半径

W、w_c、w_d、w_t 宽度

W₁距离

100 半导体装置结构

102 基板

104鳍状物

106隔离结构

108栅极结构

110_S、110_S'源极区

110_D、110_D'漏极区

111间隔物

112通道区

113LDD区

115栅极介电层

116补偿间隔物层

117栅极层

118表面

120硬掩模层

125主要间隔物层

127凹陷

131、132切面

150晶体管区

215含硅材料

401S/D结构

402界面

404SiGe核心

406圆润的Ge结构

408盖结构

502区域

702侧壁间隔物

702' 侧壁间隔物部分

800方法

802、804、806、808、810、812、814步骤

具体实施方式

下述内容提供的不同实施例或实例可实施本公开的不同结构。特定构件与排列的实施例是用以简化本公开而非局限本公开。举例来说，形成第一构件于第二构件上的叙述包含两者直接接触，或两者之间隔有其他额外构件而非直接接触。此外，本公开的多种例子中可重复标号，但这些重复仅用以简化与清楚说明，不代表不同实施例及/或设置之间具有相同标号的单元之间具有相同的对应关系。

此外，空间性的相对用语如「下方」、「其下」、「较下方」、「上方」、「较上方」、或类似用语可用于简化说明某一元件与另一元件在图示中的相对关系。空间性的相对用语可延伸至以其他方向使用的元件，而非局限于图示方向。元件亦可转动90°或其他角度，因此方向性用语仅用以说明图示中的方向。