[发明专利]一种钝化层及具有钝化层的部件有效
| 申请号： | 201610974048.1 | 申请日： | 2016-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN106449532B | 公开（公告）日： | 2019-10-29 |
| 发明（设计）人： | 胡海;何晋国;汪卫敏;苗春雨 | 申请（专利权）人： | 深圳瑞波光电子有限公司;深圳清华大学研究院 |
| 主分类号： | H01L23/29 | 分类号： | H01L23/29 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 何青瓦 |
| 地址： | 518052 广东省深圳市南山区西丽*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种钝化层，所述钝化层形成在基体上，所述钝化层为氮化硅薄膜层，其中所述氮化硅薄膜层包括不同折射率组合的氮化硅薄膜。本发明还提供一种具有钝化层的部件及其制备方法。本发明提供的不同折射率组合的氮化硅薄膜，消除了不同薄膜层之间的热、弹性和塑性错配的突然转变，从而可以有效减小残余应力，同时具有防水性好、防水解性好、脆性小、击穿电压高、附着力强等性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 钝化 具有 部件 | ||
【主权项】：
1.一种钝化层，所述钝化层形成在基体上，其特征在于，所述钝化层为氮化硅薄膜层，其中所述氮化硅薄膜层包括不同折射率组合的氮化硅薄膜，与所述基体直接接触的所述氮化硅薄膜的所述折射率大于2.02，以增大与所述基体直接接触的所述氮化硅薄膜和所述基体之间的附着力，不与所述基体直接接触的所述氮化硅薄膜的所述折射率在2.02处至少有一次递增变化和一次递减变化，以减小所述氮化硅薄膜层的残余应力。
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