[发明专利]具有低泄漏电流的无结折叠I形栅场效应晶体管有效
| 申请号： | 201610971550.7 | 申请日： | 2016-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN106653853B | 公开（公告）日： | 2019-08-02 |
| 发明（设计）人： | 刘溪;杨光锐;靳晓诗 | 申请（专利权）人： | 沈阳工业大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 沈阳智龙专利事务所(普通合伙) 21115 | 代理人： | 周楠;宋铁军 |
| 地址： | 110870 辽宁省沈*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有低泄漏电流的无结折叠I形栅场效应晶体管，包括SOI晶圆的硅衬底，SOI晶圆的硅衬底上方为SOI晶圆的绝缘层，SOI晶圆的绝缘层上方为单晶硅，单晶硅的表面上附有栅介质绝缘层，栅介质绝缘层表面附有折叠I形栅电极，栅电极紧贴栅介质绝缘层；单晶硅上表面的两端分别为源电极和漏电极，相邻单晶硅之间以及源电极和漏电极之间由绝缘介质层隔离开；将附在单晶硅上表面靠近两端的绝缘介质层刻蚀掉后形成的通孔中注入金属分别生成源电极和漏电极。在保持正向特性几乎不受影响的情况下具有低反向泄漏电流的特性，因而降低了器件的功耗，适合推广应用。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 泄漏 电流 折叠 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种具有低泄漏电流的无结折叠I形栅场效应晶体管，包括SOI晶圆的硅衬底（8），其特征在于：SOI晶圆的硅衬底（8）上方为SOI晶圆的绝缘层（7），SOI晶圆的绝缘层（7）上方为单晶硅（6），单晶硅（6）的表面上附有栅介质绝缘层（5），栅介质绝缘层（5）表面附有折叠I形栅电极（4），金属栅电极紧贴栅介质绝缘层（5）；单晶硅（6）上表面的两端分别为源电极（1）和漏电极（2），相邻单晶硅（6）之间以及源电极（1）和漏电极（2）之间由绝缘介质层（3）隔离开；将附在单晶硅（6）上表面靠近两端的绝缘介质层（3）刻蚀掉后形成的通孔中注入金属分别生成源电极（1）和漏电极（2）。
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