[发明专利]具有低泄漏电流的无结折叠I形栅场效应晶体管

权利要求书

1.一种具有低泄漏电流的无结折叠I形栅场效应晶体管，包括SOI晶圆的硅衬底（8），其特征在于：SOI晶圆的硅衬底（8）上方为SOI晶圆的绝缘层（7），SOI晶圆的绝缘层（7）上方为单晶硅（6），单晶硅（6）的表面上附有栅介质绝缘层（5），栅介质绝缘层（5）表面附有折叠I形栅电极（4），金属栅电极紧贴栅介质绝缘层（5）；单晶硅（6）上表面的两端分别为源电极（1）和漏电极（2），相邻单晶硅（6）之间以及源电极（1）和漏电极（2）之间由绝缘介质层（3）隔离开；将附在单晶硅（6）上表面靠近两端的绝缘介质层（3）刻蚀掉后形成的通孔中注入金属分别生成源电极（1）和漏电极（2）。

2.根据权利要求1所述的具有低泄漏电流的无结折叠I形栅场效应晶体管，其特征在于：在平行于SOI晶圆的硅衬底且沿着从源电极（1）至漏电极（2）的直线方向上，折叠I形栅电极（4）位于单晶硅（6）上方部分的长度小于折叠I形栅电极（4）位于单晶硅（6）两侧部分的长度，整个折叠I形栅电极（4）呈现出被折叠的英文大写字母“I”形状，即折叠I形栅电极（4）位于单晶硅（6）上方部分构成字母“I”的中间“竖”的部分，而折叠I形栅电极（4）位于单晶硅（6）两侧部分则分别构成字母“I”的上下两“横”；折叠I形栅电极（4）上下两“横”分别与“竖”的两端所组成的两个垂直端面均呈“凸”字形。

3.根据权利要求1所述的具有低泄漏电流的无结折叠I形栅场效应晶体管，其特征在于：单晶硅（6）和折叠I形栅电极（4）之间通过栅介质绝缘层（5）彼此绝缘；栅介质绝缘层（5）与折叠I形栅电极（4）内侧的形状相适应，栅介质绝缘层（5）亦呈现出两端被折叠的英文大写字母“I”形状，其位于单晶硅（6）上方部分构成字母“I”的中间“竖”的部分，其位于单晶硅（6）两侧部分则分别构成字母“I”的上下两“横”；上下两“横”分别与“竖”的两端所组成的两个垂直端面均呈“凸”字形；其中间凸起的“竖”的部分被架空，下方穿入单晶硅（6）。