[发明专利]一种半导体器件及其制作方法、电子装置有效
| 申请号： | 201610970621.1 | 申请日： | 2016-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN108010835B | 公开（公告）日： | 2020-08-07 |
| 发明（设计）人： | 郑二虎 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/266 | 分类号： | H01L21/266;H01L21/033 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;张建 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制作方法、电子装置，该制作方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括密集区和稀疏区，在所述密集区和稀疏区的半导体衬底上形成高掺杂多晶硅层和图形化的硬掩膜层；以所述硬掩膜层为掩膜对所述高掺杂多晶硅层进行离子掺杂，以提高所述高掺杂多晶硅层未被所述硬掩膜层遮蔽的部分的蚀刻阻抗；以所述硬掩膜层为掩膜图形化所述高掺杂多晶硅层；执行亲水性处理，以提高图形化的所述高掺杂多晶硅层表面的亲水性；执行湿法工艺去除蚀刻残余物。该制作方法可以获得良好的局部深度差异以及浮栅剖面，同时具有高的湿法性能，且不会造成浮栅损伤。该半导体器件和电子装置具有类似的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制作方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括下述步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括密集区和稀疏区，在所述密集区和稀疏区的半导体衬底上形成高掺杂多晶硅层和图形化的硬掩膜层；以所述硬掩膜层为掩膜对所述高掺杂多晶硅层进行离子掺杂，以提高所述高掺杂多晶硅层未被所述硬掩膜层遮蔽的部分的蚀刻阻抗；以所述硬掩膜层为掩膜图形化所述高掺杂多晶硅层；执行亲水性处理，以提高图形化的所述高掺杂多晶硅层表面的亲水性；执行湿法工艺去除蚀刻残余物。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610970621.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
