[发明专利]集成芯片系统及其形成方法在审
| 申请号： | 201610959626.4 | 申请日： | 2016-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN107017171A | 公开（公告）日： | 2017-08-04 |
| 发明（设计）人： | 叶松峯;余振华;陈明发 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 用于形成半导体封装件的方法的实施例包括附接第一管芯至第一载体；在第一管芯周围沉积第一隔离材料；以及在沉积第一隔离材料后，接合第二管芯至第一管芯。接合第二管芯至第一管芯包括形成介电质‑介电质的接合。该方法还包括去除第一载体并且在第一管芯的与第二管芯相对的一侧上形成扇出式再分布层(RDL)。扇出式RDL电连接至第一管芯和第二管芯。本发明的实施例还提供了半导体封装件。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 芯片 系统 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种形成半导体封装件的方法，包括：将第一管芯附接至第一载体；在所述第一管芯周围沉积第一隔离材料；在沉积所述第一隔离材料后，将第二管芯接合至所述第一管芯，其中，接合所述第二管芯至所述第一管芯包括形成介电质‑介电质的接合；去除所述第一载体；以及在所述第一管芯的与所述第二管芯相对的一侧上形成扇出式再分布层(RDL)，其中，所述扇出式再分布层电连接至所述第一管芯和所述第二管芯。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
