[发明专利]一种MEMS器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201610949826.1 | 申请日： | 2016-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN108002339B | 公开（公告）日： | 2019-12-31 |
| 发明（设计）人： | 阮炯明;张冬平 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;B81C1/00;B81B3/00 |
| 代理公司： | 11336 北京市磐华律师事务所 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种MEMS器件及其制造方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上依次形成牺牲层和悬臂梁层；依次刻蚀所述悬臂梁层、牺牲层和半导体衬底，以形成第一沟槽；填充所述第一沟槽，以形成固定齿；执行刻蚀，以在所述悬臂梁层和固定齿中形成第二沟槽；填充所述第二沟槽；去除所述牺牲层。与现有工艺相比，本发明提出的MEMS器件的制造方法，可降低悬臂梁的根部发生断裂的风险，并使悬臂梁结构更加稳固。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mems 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种MEMS器件的制造方法，其特征在于，包括：/n提供半导体衬底；/n在所述半导体衬底上依次形成牺牲层和悬臂梁层；/n依次刻蚀所述悬臂梁层、牺牲层和半导体衬底，以形成第一沟槽；/n填充所述第一沟槽，以形成固定齿；/n执行刻蚀，以在所述悬臂梁层和固定齿中形成第二沟槽；/n填充所述第二沟槽；/n去除所述牺牲层。/n
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