[发明专利]一种MEMS器件及其制造方法

权利要求书

1.一种MEMS器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底上依次形成牺牲层和悬臂梁层；

依次刻蚀所述悬臂梁层、牺牲层和半导体衬底，以形成第一沟槽；

填充所述第一沟槽，以形成固定齿；

执行刻蚀，以在所述悬臂梁层和固定齿中形成第二沟槽；

填充所述第二沟槽；

去除所述牺牲层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二沟槽为环形结构。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，还包括：

依次刻蚀所述第二沟槽中的填充物以及悬臂梁层，以形成通孔，以及

填充所述通孔。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述通孔的填充物为锗硅。

5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第二沟槽的填充物为SiN。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二沟槽为鳍式结构。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述鳍式结构包括沿悬臂梁方向设置的第一鳍片，以及与所述第一鳍片交叉的第二鳍片。

8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述第二沟槽的填充物为锗硅。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述固定齿的材料为锗硅。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述悬臂梁层的材料为锗硅。

11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述牺牲层的材料为锗。

12.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述悬臂梁层上还形成有停止层。

13.一种MEMS器件，其特征在于，包括：

半导体衬底；

位于所述半导体衬底上方的悬臂梁层，所述悬臂梁层通过嵌于所述半导体衬底中的固定齿固定在所述半导体衬底中，所述悬臂梁层和所述半导体衬底之间具有空槽，且所述空槽暴露出所述固定齿的部分侧壁；

形成于所述悬臂梁层和固定齿中的第二沟槽，所述第二沟槽中填充有第二沟槽填充物。

14.根据权利要求13所述的器件，其特征在于，所述第二沟槽为环形结构。

15.根据权利要求14所述的器件，其特征在于，所述悬臂梁层中还形成有贯穿所述第二沟槽的通孔，所述通孔中填充有通孔填充物。

16.根据权利要求14所述的器件，其特征在于，所述第二沟槽填充物为SiN。

17.根据权利要求15所述的器件，其特征在于，所述通孔填充物为锗硅。

18.根据权利要求13所述的器件，其特征在于，所述第二沟槽为鳍式结构。

19.根据权利要求18所述的器件，其特征在于，所述鳍式结构包括沿悬臂梁方向设置的第一鳍片，以及与所述第一鳍片交叉的第二鳍片。

20.根据权利要求18所述的器件，其特征在于，所述第二沟槽填充物为锗硅。

21.根据权利要求13所述的器件，其特征在于，所述固定齿的材料为锗硅。

22.根据权利要求13所述的器件，其特征在于，所述悬臂梁层的材料为锗硅。