[发明专利]一种p型CaMSnO非晶氧化物半导体薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201610914166.3 | 申请日： | 2016-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN106711193B | 公开（公告）日： | 2020-03-03 |
| 发明（设计）人： | 吕建国;程晓涵;叶志镇 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/12;H01L29/786;H01L21/203 |
| 代理公司： | 杭州宇信知识产权代理事务所(普通合伙) 33231 | 代理人： | 张宇娟;王煦丽 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种一种p型CaMSnO非晶氧化物半导体薄膜，其中Ca为+2价，M为VIIIB族过渡金属Fe、Co、Ni中的一种，且为+3价，Ca与M共同与O结合形成材料的p型导电基体；Sn为+2价，在基体中也同时形成p型导电，且具有球形电子轨道，在非晶状态下电子云高度重合，起到空穴传输通道的作用。本发明还提供了制备制备p型CaCoSnO非晶氧化物半导体薄膜的方法，首先通过烧结方法制得CaCoSnO陶瓷片，以此为靶材，通过脉冲激光沉积法，制得p型CaCoSnO非晶薄膜，其空穴浓度10 |
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| 搜索关键词： | 一种 camsno 氧化物 半导体 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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