[发明专利]一种p型LaMSnO非晶氧化物半导体薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201610914165.9 | 申请日： | 2016-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN106711228B | 公开（公告）日： | 2020-03-03 |
| 发明（设计）人： | 吕建国;吕容恺;叶志镇 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/26;H01L21/02 |
| 代理公司： | 杭州宇信知识产权代理事务所(普通合伙) 33231 | 代理人： | 张宇娟;王煦丽 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种p型LaMSnO非晶氧化物半导体薄膜，所述LaMSnO中，La为+3价，M为Nb、Sr、Cu、Fe中的一种，且M为完全氧化化学价态，即Nb为+5价、Sr为+2价、Cu为+2价、Fe为+3价；La与M共同与O结合形成材料的p型导电基体；Sn为+4价，具有球形电子轨道，在非晶状态下电子云高度重合，起到空穴传输通道的作用。本发明还提供了p型LaNbSnO非晶氧化物半导体薄膜的制备方法，使用烧结而成的LaNbSnO陶瓷片为靶材，通过射频磁控溅射方法，制得p型LaNbSnO非晶薄膜，其空穴浓度10 |
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| 搜索关键词： | 一种 lamsno 氧化物 半导体 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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