[发明专利]用于交错字线方案的SRAM单元有效
| 申请号： | 201610906002.6 | 申请日： | 2016-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN107017018B | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 藤原英弘;潘显裕;陈炎辉;廖宏仁;马合木提·斯楠吉尔 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/412 | 分类号： | G11C11/412;G11C11/417 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 在一些实施例中，本发明涉及静态随机存取存储器(SRAM)器件。SRAM器件包括多个SRAM单元，被布置为多行和多列，其中，相应的SRAM单元包括相应的互补数据存储节点对以存储相应数据状态。第一对存取晶体管连接至SRAM单元的互补数据存储节点对，并且被配置为选择性地将互补数据存储节点对连接至相应的第一对互补位线。第二对存取晶体管连接至该SRAM单元的该互补数据存储节点对，并且被配置为选择性地将互补数据存储节点对连接至相应的第二对互补位线。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 错字 方案 sram 单元 | ||
【主权项】：
一种静态随机存取存储(SRAM)单元，所述静态随机存取存储单元根据静态随机存取存储单元布局布置在半导体衬底上，所述静态随机存取存储单元布局包括：上单元边缘和下单元边缘以及左单元边缘和右单元边缘，对应于所述半导体衬底上的所述静态随机存取存储单元的外周；第一电源轨，平行于所述左单元边缘或所述右单元边缘延伸，并且沿所述左单元边缘或所述右单元边缘设置，其中，所述第一电源轨被配置为连接所述静态随机存取存储单元至第一DC电源；第二电源轨，平行于所述第一电源轨并且沿所述静态随机存取存储单元的中线延伸，其中，所述第二电源轨等距布置在所述左单元边缘和所述右单元边缘之间，所述第二电源轨被配置为连接所述静态随机存取存储单元至第二DC电源，所述第二DC电源不同于所述第一DC电源；以及两条字线，在所述静态随机存取存储单元上方平行于所述上单元边缘和所述下单元边缘延伸，并且垂直于所述第一电源轨和所述第二电源轨延伸，其中，所述两条字线的仅有一条连接至所述静态随机存取存储单元的相应存取晶体管的栅极。
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