[发明专利]用于交错字线方案的SRAM单元

权利要求书

1.一种静态随机存取存储单元，所述静态随机存取存储单元根据静态随机存取存储单元布局布置在半导体衬底上，所述静态随机存取存储单元布局包括：

上单元边缘和下单元边缘以及左单元边缘和右单元边缘，对应于所述半导体衬底上的所述静态随机存取存储单元的外周；

第一电源轨，平行于所述左单元边缘或所述右单元边缘延伸，并且沿所述左单元边缘或所述右单元边缘设置，其中，所述第一电源轨被配置为连接所述静态随机存取存储单元至第一DC电源；

第二电源轨，平行于所述第一电源轨并且沿所述静态随机存取存储单元的中线延伸，其中，所述第二电源轨等距布置在所述左单元边缘和所述右单元边缘之间，所述第二电源轨被配置为连接所述静态随机存取存储单元至第二DC电源，所述第二DC电源不同于所述第一DC电源；以及

两条字线，在所述静态随机存取存储单元上方平行于所述上单元边缘和所述下单元边缘延伸，并且垂直于所述第一电源轨和所述第二电源轨延伸，其中，所述两条字线的仅有一条连接至所述静态随机存取存储单元的相应存取晶体管的栅极；

其中，所述两条字线中的所述一条与第一金属线段相连，所述第一金属线段平行于所述左单元边缘或所述右单元边缘延伸且位于所述第二电源轨的第一侧，所述第一金属线段位于所述第一电源轨和所述第二电源轨之间，并且其中，所述两条字线中的所述一条还与第二金属线段相连，所述第二金属线段平行于所述右单元边缘或所述左单元边缘延伸并且布置在所述第二电源导轨的与所述第一侧相对的第二侧。

2.根据权利要求1所述的静态随机存取存储单元，其中，所述外周为矩形，并且所述左单元边缘和所述右单元边缘彼此平行并且均具有第一长度，所述上单元边缘和所述下单元边缘彼此平行并且均具有第二长度，所述第二长度比所述第一长度大。

3.根据权利要求1所述的静态随机存取存储单元，其中，多个金属线包括彼此平行延伸的所述第一电源轨和所述第二电源轨，并且所述多个金属线从所述左单元边缘至所述右单元边缘，或从所述右单元边缘至所述左单元边缘的排列顺序是：所述第一电源轨、所述第一金属线段、位线、所述第二电源轨、互补位线、所述第二金属线段。

4.根据权利要求1所述的静态随机存取存储单元，其中，所述第一电源轨被配置为承载VDD信号，并且所述第二电源轨被配置为承载VSS信号。

5.根据权利要求1所述的静态随机存取存储单元，其中，所述第二电源轨被配置为承载VDD信号，并且所述第一电源轨被配置为承载VSS信号。

6.根据权利要求1所述的静态随机存取存储单元，包括第一存取晶体管、第二存取晶体管和交叉连接的反相器对，其中，所述第一存取晶体管、所述第二存取晶体管允许选择性地存取交叉连接的所述反相器对的互补存储节点；以及

其中，所述第一存取晶体管、所述第二存取晶体管均包括彼此平行延伸的半导体鳍对和横跨所述半导体鳍对的两个半导体鳍的导电栅极。

7.根据权利要求6所述的静态随机存取存储单元，其中，所述第一存取晶体管、所述第二存取晶体管具有第一导电类型，并且，交叉连接的所述反相器对中具有所述第一导电类型的晶体管均包括彼此平行的半导体鳍对和横跨所述半导体鳍对的两个半导体鳍的导电栅极；以及

其中，交叉连接的所述反相器对中具有第二导电类型的晶体管均由单个鳍和横跨所述单个鳍的导电栅极组成，所述第二导电类型与所述第一导电类型相反。