[发明专利]化合物半导体薄膜及其制备方法

摘要

本发明涉及一种化合物半导体薄膜及其制备方法。上述化合物半导体薄膜的制备方法包括如下步骤：提供基片，基片包括依次层叠设置的衬底、金属薄膜预制层以及固态硒膜；将两个基片平行间隔设置，且两个基片中的硒膜相对；以及在含有气态硫源的气氛下，对金属薄膜预制层同时进行硒化硫化，在衬底上制得化合物半导体薄膜。上述平行间隔设置的两个基片作为限域边界，组成了限域反应空间，同时进行硒化硫化时，能够将高温处理过程中的反应物以及挥发相禁锢在上述空间内，避免了反应物流失对反应过程的失控影响，可以将微观上较难控制的硒与硫的竞争反应关系转移到较易实现的宏观空间上调控，对硒状态、硒的量以及硒化硫化反应的过程均实现稳定控制。

主权项

1.一种化合物半导体薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供基片，所述基片包括依次层叠设置的衬底、金属薄膜预制层以及固态硒膜；将两个所述基片平行间隔设置，且两个所述基片中的硒膜相对；以及在含有气态硫源的气氛下，对所述金属薄膜预制层同时进行硒化硫化，在所述衬底上制得所述化合物半导体薄膜；在含有气态硫源的气氛下，对所述金属薄膜预制层同时进行硒化硫化的步骤为：将两个平行间隔设置的所述基片置于退火装置中，将所述退火装置抽真空之后通入含有气态硫源的气氛，之后同时加热两个所述基片，并使两个所述基片的温度同时以相同的升温曲线升温至500℃～600℃，保温1min～30min之后缓慢降温至室温，完成硒化硫化。