[发明专利]集成式LED器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201610887470.3 | 申请日： | 2016-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN106328636A | 公开（公告）日： | 2017-01-11 |
| 发明（设计）人： | 王磊;陈立人;李庆 | 申请（专利权）人： | 聚灿光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/075 | 分类号： | H01L25/075;H01L33/00;H01L33/62 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙)32235 | 代理人： | 杨林洁 |
| 地址： | 215123 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种集成式LED器件及其制造方法，所述集成式LED器件包括：若干LED芯片，所述LED芯片包括N型半导体层、多量子阱发光层、P型半导体层、以及N电极和P电极，所述N电极与N型半导体层电性连接，P电极与P型半导体层电性连接；图形化基板，用于承载所述LED芯片，所述图形化基板包括若干第一互联区及第二互联区，所述LED芯片上的N电极和P电极分别与图形化基板上的第一互联区和第二互联区电性连接。本发明将LED芯片与图形化基板电性连接，其结构及制造工艺简单，提高了器件的可靠性，可实现大功率高电流。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 led 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种集成式LED器件，其特征在于，所述集成式LED器件包括：若干LED芯片，所述LED芯片包括N型半导体层、多量子阱发光层、P型半导体层、以及N电极和P电极，所述N电极与N型半导体层电性连接，P电极与P型半导体层电性连接；图形化基板，用于承载所述LED芯片，所述图形化基板包括若干第一互联区及第二互联区，所述LED芯片上的N电极和P电极分别与图形化基板上的第一互联区和第二互联区电性连接。
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