[发明专利]鳍式电阻元件及半导体器件的形成方法有效
| 申请号： | 201610885892.7 | 申请日： | 2016-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN107919347B | 公开（公告）日： | 2020-07-10 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张振军;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种鳍式电阻元件及半导体器件的形成方法，所述鳍式电阻元件的形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有凸出的鳍部；在所述半导体衬底上形成隔离层，所述隔离层低于所述鳍部的顶部表面以暴露出所述鳍部的顶部；形成掺杂层，所述掺杂层覆盖所述隔离层并包裹所述鳍部的顶部，所述掺杂层中具有掺杂离子；对所述掺杂层进行退火处理，使所述掺杂层中的掺杂离子扩散进入所述鳍部，形成鳍部掺杂区。本发明方案可以有效地减轻由于离子注入对所述鳍式电阻元件造成的鳍部损伤，进而提升所述鳍式电阻元件及半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻 元件 半导体器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种鳍式电阻元件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有凸出的鳍部；在所述半导体衬底上形成隔离层，所述隔离层低于所述鳍部的顶部表面以暴露出所述鳍部的顶部；形成掺杂层，所述掺杂层覆盖所述隔离层并包裹所述鳍部的顶部，所述掺杂层中具有掺杂离子；对所述掺杂层进行退火处理，使所述掺杂层中的掺杂离子扩散进入所述鳍部，形成鳍部掺杂区。
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