[发明专利]一种超低电容低压半导体放电管芯片及其制造方法有效
| 申请号： | 201610875049.0 | 申请日： | 2016-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN106229349B | 公开（公告）日： | 2019-05-10 |
| 发明（设计）人： | 刘宗贺;邹有彪;王泗禹 | 申请（专利权）人： | 富芯微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/87 | 分类号： | H01L29/87;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) 11390 | 代理人： | 胡剑辉 |
| 地址： | 230000 安徽省合*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开一种超低电容低压半导体放电管芯片及其制造方法，该半导体放电管芯片由两个相同的双向对称的低电容低压半导体放电管串联构成，其中任一串联的低电容低压半导体放电管包括位于n‑型半导体基体上表面的p‑阱区，p‑阱区下部的p型区，p型区内及p‑阱区边缘的n型区，以及p型区和n型区上表面的金属层，对p‑阱区进行硼离子注入掺杂，使两个n型区之间的p‑阱区的浓度为3e13‑3e14cm‑3；对硅片双面进行光刻和掺杂控制，使p型区内及p‑阱区边缘的n型区之间的距离d为5‑10μm，使得半导体放电管在发生转折时两个n型区发生穿通击穿，击穿电压低于6V。本发明具有低电容、低电压的特点，减少通信信号的延迟和失真，同时对高清视频接口浪涌起重要的保护作用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电容 低压 半导体 放电 芯片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种超低电容低压半导体放电管芯片，由两个相同的双向对称的低电容低压半导体放电管串联构成，其中任一串联的低电容低压半导体放电管包括位于n‑型半导体基体上表面的p‑阱区，p‑阱区下部的p型区，p型区内及p‑阱区边缘的n型区，以及p型区和n型区上表面的金属层，其特征在于：对p‑阱区进行硼离子注入掺杂，使两个n型区之间的p‑阱区的浓度得以控制；对硅片双面进行光刻和掺杂控制，使得p型区内及p‑阱区边缘的n型区之间的距离d得到优化，优化后的值为5‑10μm，使得半导体放电管在发生转折时两个n型区发生穿通击穿，击穿电压低于6V。
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