[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体装置及其制造方法，涉及半导体工艺技术领域。该方法包括：形成生长衬底，形成生长衬底包括：提供衬底结构，衬底结构包括牺牲衬底和在牺牲衬底上的第一电介质层，衬底结构中形成有贯穿第一电介质层的多个凹陷，并且凹陷的底部和部分侧壁位于牺牲衬底中，在凹陷的底部和部分侧壁上形成垫层，选择性地在所述垫层上生长石墨烯层，以及在凹陷中填充第二电介质层；以第二电介质层的顶部面对接合衬底的方式，将生长衬底附接到接合衬底之上；去除牺牲衬底；去除垫层，从而露出石墨烯层。本发明采用在垫层上选择性生长石墨烯的方式，避免了现有技术中图案化工艺对石墨烯的影响。

主权项

一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：形成生长衬底，所述形成生长衬底包括：提供衬底结构，所述衬底结构包括牺牲衬底和在所述牺牲衬底上的第一电介质层，所述衬底结构中形成有多个凹陷，所述凹陷贯穿所述第一电介质层，并且所述凹陷的底部和部分侧壁位于所述牺牲衬底中，在所述凹陷的所述底部和所述部分侧壁上形成垫层，选择性地在所述垫层上生长石墨烯层，以及在所述凹陷中填充第二电介质层；以所述第二电介质层的顶部面对接合衬底的方式，将所述生长衬底附接到接合衬底之上；去除所述牺牲衬底；去除所述垫层，从而露出所述石墨烯层。