[发明专利]半导体装置在审
申请号: | 201610855115.8 | 申请日: | 2016-09-27 |
公开(公告)号: | CN106803504A | 公开(公告)日: | 2017-06-06 |
发明(设计)人: | 仲村秀世 | 申请(专利权)人: | 富士电机株式会社 |
主分类号: | H01L25/07 | 分类号: | H01L25/07;H01L23/48;H01L23/535 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人: | 周全 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明能减小布线的电感,同时实现额定电流的大容量化。半导体装置(100)中,使用连接装置来使多个半导体单元(200c、200d)并联电连接。连接装置具有第1连接单元(300)和第2连接单元(400)。第1连接单元(300)与各半导体单元(200c、200d)的控制端子电连接。第2连接单元(400)与各半导体单元(200c、200d)的主端子电连接。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
【主权项】:
一种半导体装置,其特征在于,包括:多个半导体单元;以及将所述半导体单元并联电连接的连接装置,所述半导体单元包括:层叠基板,该层叠基板具有绝缘板、以及配置于所述绝缘板的正面的电路板;多个半导体元件,该多个半导体元件的背面固定于所述电路板,正面具有主电极和控制电极;布线构件,该布线构件与所述半导体元件的所述主电极和所述控制电极电连接;控制端子,该控制端子经由所述布线构件与所述半导体元件的所述控制电极电连接;以及主端子,该主端子经由所述布线构件与所述半导体元件的所述主电极电连接,利用所述层叠基板、所述半导体元件、以及所述布线构件,在所述半导体单元的内部构成三电平逆变器电路,所述连接装置具有:与多个所述半导体单元各自的所述控制端子电连接的第1连接单元;以及与多个所述半导体单元各自的所述主端子电连接的第2连接单元。
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