[发明专利]一种沟槽式MOSFET及其制备方法有效
| 申请号： | 201610843902.0 | 申请日： | 2016-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN107564962B | 公开（公告）日： | 2021-04-30 |
| 发明（设计）人： | 王晓彬;马督儿·博德;保罗·索拉普 | 申请（专利权）人： | 万国半导体国际有限合伙公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 董科 |
| 地址： | 加拿大*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种沟槽式MOSFET，包括第一导电类型的半导体衬底；设于半导体衬底的第一预设区中的多个并排设置的呈现为条状的第一沟槽，其长度方向沿着第一方向延伸；设于半导体衬底的第二预设区中的多个并排设置的呈现为条状的第二沟槽，其长度方向沿着与第一方向相垂直的第二方向延伸；位于第一、第二沟槽内的控制栅极，和形成在第一、第二沟槽侧壁附近的半导体衬底中的第二导电类型的本体区，及形成在本体区顶部的第一导电类型的源极区。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 mosfet 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种沟槽式MOSFET，其特征在于，包括：第一导电类型的半导体衬底；设于半导体衬底的第一预设区中的多个并排设置的呈现为条状的第一沟槽，其长度方向沿着第一方向延伸；设于半导体衬底的第二预设区中的多个并排设置的呈现为条状的第二沟槽，其长度方向沿着与第一方向相垂直的第二方向延伸；位于第一、第二沟槽内的控制栅极，和形成在第一、第二沟槽侧壁附近的半导体衬底中的第二导电类型的本体区，及形成在本体区顶部的第一导电类型的源极区。
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