[发明专利]电阻炉合成单晶碳化硅制备方法

摘要

本发明在电阻炉合成单晶碳化制备方法，而单晶碳化硅是属半导体技术领域中一种半导体芯片高性能材料。广泛用于高科技及国防工业上。创造性突破半导体高性能材料单晶碳化硅合成新方法。现发明在电阻炉合成单晶碳化硅，严格控制温度在2600度，形成合成结晶空间，制备方法“熔解法”，按配方比例配料SIC晶种，辅以绿碳化硅及硅砂为填充料，在电阻炉合成单晶碳化硅，质量好、晶体大。新颖性特征比单晶硅在力学性质、光学性质、热学性质，导电性质等，在各方面都有明显的优越。其特点耐高温抗烧蚀，硬度高耐磨损，强度高耐抗压，耐老化寿命长，电阻低导电好。电阻炉合成单晶碳化硅填补半导体芯片高性能材料的空白。单晶碳化硅、投资少、效益高特别适合中小企业开发生产、经济及社会效益显著。

主权项

本发明电阻炉合成单晶碳化硅制备方法，而单晶碳化硅是属半导体的技术领域中一种半导体芯片高性能材料。广泛用于高科技及国防工业上。突破性创造半导体芯片高性能单晶碳化硅材料合成新方法。现发明电阻炉合成单晶碳化硅制备方法是“熔解法”。其技术条件必须具备湿度2600度之间，结晶合成，有形成单晶碳化硅晶体空间，在此空间中，sic是过饱和浓度状态，形成空气温度对流，饱和溶态状，必须温度恒定，不受外界气流冲击处密封状态。按配方比例配料sic晶种与粘结剂树脂干粉搅拌均匀，木模成型，然后在电炉干燥箱固化放入石墨坩锅内，辅以录碳化硅及硅砂为填充料，在电阻炉合成单晶碳化硅。